碳化硅CVI/CVD沉积炉技术特征

电阻功率炉可进行多温区单独的控温，气温光滑性好；

主要采用智力有压力差调整，有压力差变化小；

全开敞形成室，密封带特效好，抗生态破坏业务能力强； 

多工作区新工艺气路，流场不光滑，无积聚墙边，积聚效用好；

多级别高效率的烟气进行处理软件系统，生态环境和睦，易处理；

碳化硅CVI/CVD沉积炉产品规格

基本参数\产品型号	CVI-0305-SiC	CVI-0608-SiC	CVI-0612-SiC	CVI-0812-SiC	CVI-1120-SiC	CVI-1218-SiC	CVI-1315-SiC	CVI-1520-SiC
工作区尺寸 φ×H（mm）	300×500	600×800	600×1200	800×1200	1100×2000	1200×1800	1300×1800	1500×2000
最高温度（℃）	1500	1500	1500	1500	1500	1500	1500	1500
温度均匀性（℃）	±5	±7.5	±7.5	±7.50	±10	±10	±10	±15
极限真空度（Pa）	1-100	1-100	1-100	1-100	1-100	1-100	1-100	1-100
压升率（Pa/h）	0.67	0.67	0.67	0.67	0.67	0.67	0.67	0.67
加热方式	电阻	电阻	电阻	电阻	电阻	热敏电阻	电阻	电阻

超过水平参数可依照工艺设计想要来进行变动，不为为检查验收标准，特定以水平情况报告和商议应写。

碳化硅CVI/CVD沉积炉配置选择

构成手段：落地-上有料/下进料

炉防盗锁紧方法：自功/定时

炉壳装饰管材质：表层装饰管/全装饰管

恒温原材料：碳毡/石墨毡/复合材料棉应用毡

供暖器、马弗板材：石墨/CFC

热电偶及补偿导线：C/S精度等级号