碳化硅化学气相涂层/生长炉技术特征

用优秀的进气调整技术工艺，能精细调整MTS/SiCl4等的总流量和压差差，炉膛内沉积物压差差维持，压差差动荡小；

多通畅工艺设备气路，做好360度旋转料台，无岩浆岩全方位；

热度表场与环流场解耦选用仿真技术配套制作，热度表场与环流场的透亮性好；

多级别排放进行进行处理系统性，能极有效率进行进行处理灼伤性排放、固态副化合物，自然环境和谐；

炉壳主要所采用耐侵蚀不锈刚食材，热场食材主要所采用低灰分食材，要严格把控进气管线食材（选则EP级食材）；

不适合方法互动性：真空环境/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化学气相涂层/生长炉产品规格

指标\类型	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作区尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高温度（℃）	1500
温度均匀性（℃）	±10~±20		±5~±20
极限真空度（Pa）	1-100
压升率（Pa/h）	0.67

上文参数指标可结合加工过程条件使用修正，未当作项目结束验收理论依据，中应以的技术计划方案和商议来算。

碳化硅化学气相涂层/生长炉配置选择