碳化硅化学气相涂层/生长炉技术特征

通过高端的进气保持技术工艺，能高精度保持MTS/SiCl4等的数据流量和的经济的压力，炉膛内形成沉积的经济的压力不稳定性，的经济的压力动荡小；

多通畅加工气路，配合默契自动旋转料台，无累积方位；

摄氏度场与环流场交叉耦合分为模拟协助开发，摄氏度场与环流场的不匀性好；

层级烟气除理操作系统，能极有效率除理浸蚀性烟气、粉末状副物品，氛围团结；

炉壳使用耐腐烛不锈板木头才质，热场板材使用低灰分在木头才质，要从严把控进气内部管道在木头才质（备选EP级在木头才质）；

比较适合施工工艺工作氛围：真空环境/H2/N2/Ar/MTS等。

碳化硅化学气相涂层/生长炉产品规格

因素\型号规格	HCVD-101015-SiC	HCVD-121220-SiC	VCVD-0608-SiC	VCVD-0812-SiC	VCVD-1015-SiC	VCVD-1218-SiC	VCVD-1315-SiC	VCVD-1520-SiC
工作区尺寸 W×H×L（mm）	1000×1000×1500	1200×1200×2000	600×800	800×1200	1000×1500	1200×1800	1300×1500	1500×2000
最高温度（℃）	1500
温度均匀性（℃）	±10~±20		±5~±20
极限真空度（Pa）	1-100
压升率（Pa/h）	0.67

往上运作可只能根据工艺设计让通过整改，不做为为验收单法律规定，具体化以枝术细则和协义应写。

碳化硅化学气相涂层/生长炉配置选择